2N1114 Todos los transistores

 

2N1114 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N1114

Material: Ge

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 15 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 40

Empaquetado / Estuche: TO5

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N1114

 

2N1114 Datasheet (PDF)

9.1. fdfm2n111.pdf Size:286K _fairchild_semi

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August 2005FDFM2N111Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description ApplicationsFDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck ConverterFairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a FeaturesMicroFET package. This device is designed specifically as a single pack

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