2N1114 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N1114  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N1114

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1114 даташит

 9.1. Size:286K  fairchild semi
 fdfm2n111.pdf pdf_icon

2N1114

August 2005 FDFM2N111 Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description Applications FDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck Converter Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a Features MicroFET package. This device is designed specifically as a single pack

Другие транзисторы: 2N1107, 2N1108, 2N1109, 2N111, 2N1110, 2N1111, 2N1111A, 2N1111B, C5198, 2N1115, 2N1115A, 2N1116, 2N1117, 2N1118, 2N1118A, 2N1119, 2N111A