Справочник транзисторов. 2N1114

 

Биполярный транзистор 2N1114 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N1114

Тип материала: Ge

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

Корпус транзистора: TO5

Аналоги (замена) для 2N1114

 

 

2N1114 Datasheet (PDF)

9.1. fdfm2n111.pdf Size:286K _fairchild_semi

2N1114
2N1114

August 2005FDFM2N111Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description ApplicationsFDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck ConverterFairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a FeaturesMicroFET package. This device is designed specifically as a single pack

Другие транзисторы... 2N1107 , 2N1108 , 2N1109 , 2N111 , 2N1110 , 2N1111 , 2N1111A , 2N1111B , BC108 , 2N1115 , 2N1115A , 2N1116 , 2N1117 , 2N1118 , 2N1118A , 2N1119 , 2N111A .

 

 
Back to Top