Справочник транзисторов. 2N1114

 

Биполярный транзистор 2N1114 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N1114
   Тип материала: Ge
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N1114 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:286K  fairchild semi
fdfm2n111.pdfpdf_icon

2N1114

August 2005FDFM2N111Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description ApplicationsFDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck ConverterFairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a FeaturesMicroFET package. This device is designed specifically as a single pack

Другие транзисторы... 2N1107 , 2N1108 , 2N1109 , 2N111 , 2N1110 , 2N1111 , 2N1111A , 2N1111B , A1015 , 2N1115 , 2N1115A , 2N1116 , 2N1117 , 2N1118 , 2N1118A , 2N1119 , 2N111A .

History: NB222HJ | K2111A | DTA144VKA | MJE104 | AC183VII | 2N6010 | 2SD5041Q

 

 
Back to Top

 


 
.