2N4429 Todos los transistores

 

2N4429 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N4429
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 55 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.425 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 700 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO128
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N4429 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:14K  advanced-semi
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2N4429

2N4429 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: PACKAGE STYLE .280 4L STUD The ASI 2N4429 is Designed for A 45Class C Amplifier Applications Up to 1,000 MHz. B FEATURES: C D PG = 7.5 dB Typ. at 1.0 W/1000 MHz JE I Emitter Ballasting for Ruggedness F Omnigold Metallization System GH#8-32 UNCKMAXIMUM RATINGS MINIMUM MAXIMUMDIMin

 9.1. Size:353K  rca
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2N4429

 9.2. Size:45K  philips
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2N4429

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEET2N3866; 2N4427Silicon planar epitaxialoverlay transistors1995 Oct 27Product specificationSupersedes data of August 1986File under Discrete Semiconductors, SC08aPhilips Semiconductors Product specificationSilicon planar epitaxial2N3866; 2N4427overlay transistorsDESCRIPTION APPLICATIONSNPN overlay transistors in TO-39 metal packages wi

 9.3. Size:132K  st
 2n4427 bfr98.pdf pdf_icon

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History: 2SC5974 | FC3585A | BD411

 

 
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