2N4429 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4429
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
Tensión colector-base (Vcb): 55 V
Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.425 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 700 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO128
Búsqueda de reemplazo de 2N4429
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
2N4429 datasheet
2n4429.pdf
2N4429 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE .280 4L STUD The ASI 2N4429 is Designed for A 45 Class C Amplifier Applications Up to 1,000 MHz. B FEATURES C D PG = 7.5 dB Typ. at 1.0 W/1000 MHz J E I Emitter Ballasting for Ruggedness F Omnigold Metallization System G H #8-32 UNC K MAXIMUM RATINGS MINIMUM MAXIMUM DIM in
2n3866 2n4427.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET 2N3866; 2N4427 Silicon planar epitaxial overlay transistors 1995 Oct 27 Product specification Supersedes data of August 1986 File under Discrete Semiconductors, SC08a Philips Semiconductors Product specification Silicon planar epitaxial 2N3866; 2N4427 overlay transistors DESCRIPTION APPLICATIONS NPN overlay transistors in TO-39 metal packages wi
Otros transistores... 2N4421, 2N4422, 2N4423, 2N4424, 2N4425, 2N4426, 2N4427, 2N4428, 9014, 2N443, 2N4430, 2N4431, 2N4432, 2N4432A, 2N4433, 2N4434, 2N4435
History: BC847BS | 2N1379
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979