Справочник транзисторов. 2N4429

 

Биполярный транзистор 2N4429 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N4429
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.425 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 700 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO128
 

 Аналог (замена) для 2N4429

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N4429 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:14K  advanced-semi
2n4429.pdfpdf_icon

2N4429

2N4429 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: PACKAGE STYLE .280 4L STUD The ASI 2N4429 is Designed for A 45Class C Amplifier Applications Up to 1,000 MHz. B FEATURES: C D PG = 7.5 dB Typ. at 1.0 W/1000 MHz JE I Emitter Ballasting for Ruggedness F Omnigold Metallization System GH#8-32 UNCKMAXIMUM RATINGS MINIMUM MAXIMUMDIMin

 9.1. Size:353K  rca
2n442.pdfpdf_icon

2N4429

 9.2. Size:45K  philips
2n3866 2n4427.pdfpdf_icon

2N4429

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEET2N3866; 2N4427Silicon planar epitaxialoverlay transistors1995 Oct 27Product specificationSupersedes data of August 1986File under Discrete Semiconductors, SC08aPhilips Semiconductors Product specificationSilicon planar epitaxial2N3866; 2N4427overlay transistorsDESCRIPTION APPLICATIONSNPN overlay transistors in TO-39 metal packages wi

 9.3. Size:132K  st
2n4427 bfr98.pdfpdf_icon

2N4429

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2N5683 | HSBD376 | 2N5094 | 2N1725 | HSA733 | 2N4864

 

 
Back to Top

 


 
.