2N1119 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1119
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 10 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 18
Paquete / Cubierta: TO5
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2N1119 Datasheet (PDF)
fdfm2n111.pdf
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August 2005FDFM2N111Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description ApplicationsFDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck ConverterFairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a FeaturesMicroFET package. This device is designed specifically as a single pack
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