Биполярный транзистор 2N1119 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1119
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 18
Корпус транзистора: TO5
2N1119 Datasheet (PDF)
9.1. Size:286K fairchild semi
fdfm2n111.pdf
fdfm2n111.pdf
August 2005FDFM2N111Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description ApplicationsFDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck ConverterFairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a FeaturesMicroFET package. This device is designed specifically as a single pack
Другие транзисторы... 2N1111B , 2N1114 , 2N1115 , 2N1115A , 2N1116 , 2N1117 , 2N1118 , 2N1118A , BC557 , 2N111A , 2N112 , 2N1120 , 2N1121 , 2N1122 , 2N1122A , 2N1123 , 2N1124 .
