2N111A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N111A

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.13 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 24 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO22

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2N111A datasheet

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2N111A

August 2005 FDFM2N111 Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description Applications FDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck Converter Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a Features MicroFET package. This device is designed specifically as a single pack

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