Справочник транзисторов. 2N111A

 

Биполярный транзистор 2N111A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N111A
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.13 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO22
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N111A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:286K  fairchild semi
 fdfm2n111.pdf pdf_icon

2N111A

August 2005FDFM2N111Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description ApplicationsFDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck ConverterFairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a FeaturesMicroFET package. This device is designed specifically as a single pack

Другие транзисторы... 2N1114 , 2N1115 , 2N1115A , 2N1116 , 2N1117 , 2N1118 , 2N1118A , 2N1119 , 13009 , 2N112 , 2N1120 , 2N1121 , 2N1122 , 2N1122A , 2N1123 , 2N1124 , 2N1125 .

History: 2SC5197O | 2N3300S | BSP62T1 | 2SC4434 | BC307BP | BLX48R | RT1P432C

 

 
Back to Top

 


 
.