MPSH30 Todos los transistores

 

MPSH30 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPSH30
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.65 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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MPSH30 Datasheet (PDF)

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MPSH30

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MPSH30

MPSH34NPN General Purpose Amplifier This device is designed for common-emitter low noise amplifier and mixer applications with collector currents in the 100mA to 20mA range to 300MHz, and low frequency drift common-base VHF oscillator applications with high output levels for driving FET mixers.TO-92 Sourced from process 47.1 See MPSH11 for characteristics.1. Bas

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History: BCR162

 

 
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