MPSH30. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPSH30

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.65 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для MPSH30

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MPSH30 даташит

 ..1. Size:33K  no
 mpsh19 mpsh20 mpsh30 mpsh31 mpsh32 mpsh37.pdf pdf_icon

MPSH30

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

 9.1. Size:26K  fairchild semi
 mpsh34.pdf pdf_icon

MPSH30

MPSH34 NPN General Purpose Amplifier This device is designed for common-emitter low noise amplifier and mixer applications with collector currents in the 100mA to 20mA range to 300MHz, and low frequency drift common-base VHF oscillator applications with high output levels for driving FET mixers. TO-92 Sourced from process 47. 1 See MPSH11 for characteristics. 1. Bas

Другие транзисторы: MPSH07, MPSH08, MPSH10, MPSH11, MPSH17, MPSH19, MPSH20, MPSH24, TIP32C, MPSH31, MPSH32, MPSH33, MPSH34, MPSH37, MPSH54, MPSH55, MPSH81