Биполярный транзистор MPSH30 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MPSH30
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.65 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO92
MPSH30 Datasheet (PDF)
..1. Size:33K no
mpsh19 mpsh20 mpsh30 mpsh31 mpsh32 mpsh37.pdf
mpsh19 mpsh20 mpsh30 mpsh31 mpsh32 mpsh37.pdf
Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine
9.1. Size:26K fairchild semi
mpsh34.pdf
mpsh34.pdf
MPSH34NPN General Purpose Amplifier This device is designed for common-emitter low noise amplifier and mixer applications with collector currents in the 100mA to 20mA range to 300MHz, and low frequency drift common-base VHF oscillator applications with high output levels for driving FET mixers.TO-92 Sourced from process 47.1 See MPSH11 for characteristics.1. Bas
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050