MPSW93 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPSW93  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO92

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MPSW93 datasheet

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MPSW93

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MPSW93

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MPSW92/D One Watt High Voltage Transistor MPSW92 PNP Silicon Motorola Preferred Device COLLECTOR 3 2 BASE 1 EMITTER 1 2 3 MAXIMUM RATINGS CASE 29 05, STYLE 1 TO 92 (TO 226AE) Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 300 Vdc Collector Base Voltage VCBO 300 Vdc Emitter Base Voltage

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MPSW93

MPSW92 One Watt High Voltage Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features Pb-Free Packages are Available* COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 BASE Collector-Emitter Voltage VCEO -300 Vdc Collector-Base Voltage VCBO -300 Vdc 1 Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc EMITTER Collector Current - Continuous IC -500 mAdc Total Device Dissipation @ TA = 25 C

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