MPSW93 Todos los transistores

 

MPSW93 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPSW93
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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MPSW93 datasheet

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MPSW93

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MPSW93

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MPSW92/D One Watt High Voltage Transistor MPSW92 PNP Silicon Motorola Preferred Device COLLECTOR 3 2 BASE 1 EMITTER 1 2 3 MAXIMUM RATINGS CASE 29 05, STYLE 1 TO 92 (TO 226AE) Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 300 Vdc Collector Base Voltage VCBO 300 Vdc Emitter Base Voltage

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MPSW93

MPSW92 One Watt High Voltage Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features Pb-Free Packages are Available* COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 BASE Collector-Emitter Voltage VCEO -300 Vdc Collector-Base Voltage VCBO -300 Vdc 1 Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc EMITTER Collector Current - Continuous IC -500 mAdc Total Device Dissipation @ TA = 25 C

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History: MQ1893

 

 

 


 
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