MRF231 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MRF231

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 36 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 25 pF

Encapsulados: X28

 Búsqueda de reemplazo de MRF231

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MRF231 datasheet

 9.1. Size:241K  hgsemi
 mrf235.pdf pdf_icon

MRF231

HG RF POWER TRANSISTOR MRF235 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR NPN Silicon RF power transistor MRF235 Description MRF235 is designed for 12.5V, mid-band large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operation in the 40-100MHz range. Mid band FM transistors. Features Specified 12.5V, 90MHz characteristics Output Powe

Otros transistores... MRF222, MRF223, MRF224, MRF225, MRF226, MRF227, MRF229, MRF230, 2N2907, MRF232, MRF233, MRF234, MRF237, MRF238, MRF243, MRF244, MRF245