Справочник транзисторов. MRF231

 

Биполярный транзистор MRF231 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF231
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Корпус транзистора: X28
 

 Аналог (замена) для MRF231

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF231 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:241K  hgsemi
 mrf235.pdf pdf_icon

MRF231

HG RF POWER TRANSISTORMRF235SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORNPN Silicon RF power transistor MRF235Description: MRF235 is designed for 12.5V, mid-band large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operation in the 40-100MHz range. Mid band FM transistors. Features: Specified 12.5V, 90MHz characteristics Output Powe

Другие транзисторы... MRF222 , MRF223 , MRF224 , MRF225 , MRF226 , MRF227 , MRF229 , MRF230 , 2SC2482 , MRF232 , MRF233 , MRF234 , MRF237 , MRF238 , MRF243 , MRF244 , MRF245 .

History: KRA526T | 2SC3320B

 

 
Back to Top

 


 
.