MRF231 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF231

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Корпус транзистора: X28

 Аналоги (замена) для MRF231

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF231 даташит

 9.1. Size:241K  hgsemi
 mrf235.pdf pdf_icon

MRF231

HG RF POWER TRANSISTOR MRF235 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR NPN Silicon RF power transistor MRF235 Description MRF235 is designed for 12.5V, mid-band large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operation in the 40-100MHz range. Mid band FM transistors. Features Specified 12.5V, 90MHz characteristics Output Powe

Другие транзисторы: MRF222, MRF223, MRF224, MRF225, MRF226, MRF227, MRF229, MRF230, 2N2907, MRF232, MRF233, MRF234, MRF237, MRF238, MRF243, MRF244, MRF245