MRF233 Todos los transistores

 

MRF233 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MRF233
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
   Paquete / Cubierta: X28
     - Selección de transistores por parámetros

 

MRF233 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:241K  hgsemi
mrf235.pdf pdf_icon

MRF233

HG RF POWER TRANSISTORMRF235SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORNPN Silicon RF power transistor MRF235Description: MRF235 is designed for 12.5V, mid-band large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operation in the 40-100MHz range. Mid band FM transistors. Features: Specified 12.5V, 90MHz characteristics Output Powe

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: CMUT3410 | MT3S111TU | HED880 | BD538K | ZTX653DCSM | HSBD238 | MT3S113P

 

 
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