MRF233 Todos los transistores

 

MRF233 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MRF233
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
   Paquete / Cubierta: X28
 

 Búsqueda de reemplazo de MRF233

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MRF233 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:241K  hgsemi
 mrf235.pdf pdf_icon

MRF233

HG RF POWER TRANSISTORMRF235SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORNPN Silicon RF power transistor MRF235Description: MRF235 is designed for 12.5V, mid-band large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operation in the 40-100MHz range. Mid band FM transistors. Features: Specified 12.5V, 90MHz characteristics Output Powe

Otros transistores... MRF224 , MRF225 , MRF226 , MRF227 , MRF229 , MRF230 , MRF231 , MRF232 , B647 , MRF234 , MRF237 , MRF238 , MRF243 , MRF244 , MRF245 , MRF304 , MRF305 .

History: 2SC3947 | TT2076

 

 
Back to Top

 


 
.