MRF233 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MRF233

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 36 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 100 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5

Encapsulados: X28

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MRF233 datasheet

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MRF233

HG RF POWER TRANSISTOR MRF235 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR NPN Silicon RF power transistor MRF235 Description MRF235 is designed for 12.5V, mid-band large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operation in the 40-100MHz range. Mid band FM transistors. Features Specified 12.5V, 90MHz characteristics Output Powe

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