MRF233 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

MRF233 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MRF233
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: X28
 

 Аналоги (замена) для MRF233

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF233 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:241K  hgsemi
 mrf235.pdf pdf_icon

MRF233

HG RF POWER TRANSISTORMRF235SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORNPN Silicon RF power transistor MRF235Description: MRF235 is designed for 12.5V, mid-band large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operation in the 40-100MHz range. Mid band FM transistors. Features: Specified 12.5V, 90MHz characteristics Output Powe

Другие транзисторы... MRF224 , MRF225 , MRF226 , MRF227 , MRF229 , MRF230 , MRF231 , MRF232 , B647 , MRF234 , MRF237 , MRF238 , MRF243 , MRF244 , MRF245 , MRF304 , MRF305 .

 

 
Back to Top

 


 
.