Справочник транзисторов. MRF233

 

Биполярный транзистор MRF233 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF233
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: X28
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MRF233 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:241K  hgsemi
 mrf235.pdf pdf_icon

MRF233

HG RF POWER TRANSISTORMRF235SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORNPN Silicon RF power transistor MRF235Description: MRF235 is designed for 12.5V, mid-band large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operation in the 40-100MHz range. Mid band FM transistors. Features: Specified 12.5V, 90MHz characteristics Output Powe

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BFG520-X | KSU13003ER | UMB10NFHA | MRF947T3 | 2SC5501A-4-TR-E | 3CG953M

 

 
Back to Top

 


 
.