MRF233 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF233

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: X28

 Аналоги (замена) для MRF233

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF233 даташит

 9.1. Size:241K  hgsemi
 mrf235.pdf pdf_icon

MRF233

HG RF POWER TRANSISTOR MRF235 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR NPN Silicon RF power transistor MRF235 Description MRF235 is designed for 12.5V, mid-band large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operation in the 40-100MHz range. Mid band FM transistors. Features Specified 12.5V, 90MHz characteristics Output Powe

Другие транзисторы: MRF224, MRF225, MRF226, MRF227, MRF229, MRF230, MRF231, MRF232, 2SC828, MRF234, MRF237, MRF238, MRF243, MRF244, MRF245, MRF304, MRF305