2N4898 Todos los transistores

 

2N4898 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N4898
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO66
 

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Principales características: 2N4898

 ..1. Size:50K  jmnic
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2N4898

Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2N4898 2N4899 2N4900 DESCRIPTION With TO-66 package Low collector-emitter saturation voltage Excellent safe operating area 2N4900 complement to type 2N4912 APPLICATIONS Designed for driver circuits,switching and amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fi

 ..2. Size:126K  inchange semiconductor
 2n4898 2n4899 2n4900.pdf pdf_icon

2N4898

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N4898 2N4899 2N4900 DESCRIPTION With TO-66 package Low collector saturation voltage Excellent safe operating area 2N4900 complement to type 2N4912 APPLICATIONS Designed for driver circuits,switching and amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplifi

 0.1. Size:180K  mospec
 2n4898-99 2n4900.pdf pdf_icon

2N4898

A A A A

 0.2. Size:14K  semelab
 2n4898x.pdf pdf_icon

2N4898

2N4898X 2N4899X 2N4900X MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) PNP EPITAXIAL BASE MEDIUM POWER TRANSISTOR 6.35 (0.250) 8.64 (0.340) 3.68 (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 3.86 (0.145) rad. APPLICATIONS Medium power, low frequency PNP bipolar transistor in a hermetically sealed TO 66 metal package. 1.27 (0.050) 1.91 (0.750) 4.83 (0.190) 5.33 (0.210) 9.14 (0.360) min.

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