2N4898 Todos los transistores

 

2N4898 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N4898
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO66
 

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2N4898 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  jmnic
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2N4898

Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2N4898 2N4899 2N4900 DESCRIPTION With TO-66 package Low collector-emitter saturation voltage Excellent safe operating area 2N4900 complement to type 2N4912 APPLICATIONS Designed for driver circuits,switching and amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 CollectorFi

 ..2. Size:126K  inchange semiconductor
 2n4898 2n4899 2n4900.pdf pdf_icon

2N4898

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N4898 2N4899 2N4900 DESCRIPTION With TO-66 package Low collector saturation voltage Excellent safe operating area 2N4900 complement to type 2N4912 APPLICATIONS Designed for driver circuits,switching and amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplifi

 0.1. Size:180K  mospec
 2n4898-99 2n4900.pdf pdf_icon

2N4898

AAAA

 0.2. Size:14K  semelab
 2n4898x.pdf pdf_icon

2N4898

2N4898X2N4899X2N4900XMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PNP EPITAXIAL BASEMEDIUM POWERTRANSISTOR6.35 (0.250)8.64 (0.340)3.68(0.145) rad.3.61 (0.142)max.3.86 (0.145)rad.APPLICATIONSMedium power, low frequency PNPbipolar transistor in a hermeticallysealed TO66 metal package.1.27 (0.050)1.91 (0.750)4.83 (0.190)5.33 (0.210)9.14 (0.360)min.

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