MRF5175 Todos los transistores

 

MRF5175 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MRF5175
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 33 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: X54D
 

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MRF5175 Datasheet (PDF)

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MRF5175

MRF5175NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF5175 is Designed for High Power Class C Amplifier in, 225 PACKAGE STYLE .280 4L STUD to 400 MHz Military Communication AEquipment. 45C FEATURES:B E E Class C Operation B C PG = 11 dB at 5.0 W/400 MHz DJ Omnigold Metalization System E IFGMAXIMUM RATINGS H#8-32 UNCK

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