MRF5175 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MRF5175

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 33 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 15 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: X54D

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MRF5175 datasheet

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MRF5175

MRF5175 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The ASI MRF5175 is Designed for High Power Class C Amplifier in, 225 PACKAGE STYLE .280 4L STUD to 400 MHz Military Communication A Equipment. 45 C FEATURES B E E Class C Operation B C PG = 11 dB at 5.0 W/400 MHz D J Omnigold Metalization System E I F G MAXIMUM RATINGS H #8-32 UNC K

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