MRF5175 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF5175

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 33 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: X54D

 Аналоги (замена) для MRF5175

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF5175 даташит

 ..1. Size:32K  advanced-semi
 mrf5175.pdf pdf_icon

MRF5175

MRF5175 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The ASI MRF5175 is Designed for High Power Class C Amplifier in, 225 PACKAGE STYLE .280 4L STUD to 400 MHz Military Communication A Equipment. 45 C FEATURES B E E Class C Operation B C PG = 11 dB at 5.0 W/400 MHz D J Omnigold Metalization System E I F G MAXIMUM RATINGS H #8-32 UNC K

Другие транзисторы: MRF475, MRF476, MRF485, MRF501, MRF502, MRF515, MRF517, MRF5174, 2SA1837, MRF5176, MRF5177, MRF519, MRF5211, MRF5211LT1, MRF525, MRF531, MRF571