Справочник транзисторов. MRF5175

 

Биполярный транзистор MRF5175 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF5175
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 33 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: X54D
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MRF5175 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:32K  advanced-semi
 mrf5175.pdf pdf_icon

MRF5175

MRF5175NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF5175 is Designed for High Power Class C Amplifier in, 225 PACKAGE STYLE .280 4L STUD to 400 MHz Military Communication AEquipment. 45C FEATURES:B E E Class C Operation B C PG = 11 dB at 5.0 W/400 MHz DJ Omnigold Metalization System E IFGMAXIMUM RATINGS H#8-32 UNCK

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: SEBT9015 | CP503 | BF197 | EMF18 | MPQ6076 | PBHV9560Z | 3DD201

 

 
Back to Top

 


 
.