Справочник транзисторов. MRF5175

 

Биполярный транзистор MRF5175 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF5175
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 33 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: X54D
 

 Аналог (замена) для MRF5175

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF5175 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:32K  advanced-semi
 mrf5175.pdf pdf_icon

MRF5175

MRF5175NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF5175 is Designed for High Power Class C Amplifier in, 225 PACKAGE STYLE .280 4L STUD to 400 MHz Military Communication AEquipment. 45C FEATURES:B E E Class C Operation B C PG = 11 dB at 5.0 W/400 MHz DJ Omnigold Metalization System E IFGMAXIMUM RATINGS H#8-32 UNCK

Другие транзисторы... MRF475 , MRF476 , MRF485 , MRF501 , MRF502 , MRF515 , MRF517 , MRF5174 , BC546 , MRF5176 , MRF5177 , MRF519 , MRF5211 , MRF5211LT1 , MRF525 , MRF531 , MRF571 .

History: PH3134-25M | SFT115 | BF159 | RN2967CT | 2SB288 | FMMT3642

 

 
Back to Top

 


 
.