MRF519 Todos los transistores

 

MRF519 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MRF519
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2200 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO39
 

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MRF519 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:32K  advanced-semi
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MRF519

MRF5175NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF5175 is Designed for High Power Class C Amplifier in, 225 PACKAGE STYLE .280 4L STUD to 400 MHz Military Communication AEquipment. 45C FEATURES:B E E Class C Operation B C PG = 11 dB at 5.0 W/400 MHz DJ Omnigold Metalization System E IFGMAXIMUM RATINGS H#8-32 UNCK

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History: BCP5416 | SDM5011 | 2SB342 | GA4F4M | CJD3055

 

 
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