Справочник транзисторов. MRF519

 

Биполярный транзистор MRF519 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF519
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO39
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MRF519 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:32K  advanced-semi
 mrf5175.pdf pdf_icon

MRF519

MRF5175NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF5175 is Designed for High Power Class C Amplifier in, 225 PACKAGE STYLE .280 4L STUD to 400 MHz Military Communication AEquipment. 45C FEATURES:B E E Class C Operation B C PG = 11 dB at 5.0 W/400 MHz DJ Omnigold Metalization System E IFGMAXIMUM RATINGS H#8-32 UNCK

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: CMXT2207 | HA7631

 

 
Back to Top

 


 
.