MRF519 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF519

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для MRF519

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF519 даташит

 9.1. Size:32K  advanced-semi
 mrf5175.pdf pdf_icon

MRF519

MRF5175 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The ASI MRF5175 is Designed for High Power Class C Amplifier in, 225 PACKAGE STYLE .280 4L STUD to 400 MHz Military Communication A Equipment. 45 C FEATURES B E E Class C Operation B C PG = 11 dB at 5.0 W/400 MHz D J Omnigold Metalization System E I F G MAXIMUM RATINGS H #8-32 UNC K

Другие транзисторы: MRF501, MRF502, MRF515, MRF517, MRF5174, MRF5175, MRF5176, MRF5177, BD135, MRF5211, MRF5211LT1, MRF525, MRF531, MRF571, MRF5711, MRF5711LT1, MRF603