MRF5211LT1 Todos los transistores

 

MRF5211LT1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MRF5211LT1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.333 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: SOT143
 

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MRF5211LT1 Datasheet (PDF)

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MRF5211LT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR521LT1/DThe RF LinePNP SiliconMMBR521LT1High-Frequency TransistorMRF5211LT1Designed primarily for use in the highgain, lownoise smallsignalamplifiers for operation up to 3.5 GHz. Also usable in applications requiring fastswitching times. High Current GainBandwidth Product IC = 70 mAfT

Otros transistores... MRF515 , MRF517 , MRF5174 , MRF5175 , MRF5176 , MRF5177 , MRF519 , MRF5211 , 9014 , MRF525 , MRF531 , MRF571 , MRF5711 , MRF5711LT1 , MRF603 , MRF604 , MRF607 .

History: 2SA457

 

 
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