MRF5211LT1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MRF5211LT1

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.333 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: SOT143

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MRF5211LT1 datasheet

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MRF5211LT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBR521LT1/D The RF Line PNP Silicon MMBR521LT1 High-Frequency Transistor MRF5211LT1 Designed primarily for use in the high gain, low noise small signal amplifiers for operation up to 3.5 GHz. Also usable in applications requiring fast switching times. High Current Gain Bandwidth Product IC = 70 mA fT

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