MRF5211LT1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF5211LT1

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.333 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT143

 Аналоги (замена) для MRF5211LT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF5211LT1 даташит

 ..1. Size:151K  motorola
 mmbr521lt1 mrf5211lt1.pdf pdf_icon

MRF5211LT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBR521LT1/D The RF Line PNP Silicon MMBR521LT1 High-Frequency Transistor MRF5211LT1 Designed primarily for use in the high gain, low noise small signal amplifiers for operation up to 3.5 GHz. Also usable in applications requiring fast switching times. High Current Gain Bandwidth Product IC = 70 mA fT

Другие транзисторы: MRF515, MRF517, MRF5174, MRF5175, MRF5176, MRF5177, MRF519, MRF5211, BC558, MRF525, MRF531, MRF571, MRF5711, MRF5711LT1, MRF603, MRF604, MRF607