Биполярный транзистор MRF5211LT1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MRF5211LT1
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.333 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: SOT143
Аналоги (замена) для MRF5211LT1
MRF5211LT1 Datasheet (PDF)
..1. Size:151K motorola
mmbr521lt1 mrf5211lt1.pdf
mmbr521lt1 mrf5211lt1.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR521LT1/DThe RF LinePNP SiliconMMBR521LT1High-Frequency TransistorMRF5211LT1Designed primarily for use in the highgain, lownoise smallsignalamplifiers for operation up to 3.5 GHz. Also usable in applications requiring fastswitching times. High Current GainBandwidth Product IC = 70 mAfT
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050