Справочник транзисторов. MRF5211LT1

 

Биполярный транзистор MRF5211LT1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF5211LT1
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.333 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT143
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MRF5211LT1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  motorola
mmbr521lt1 mrf5211lt1.pdfpdf_icon

MRF5211LT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR521LT1/DThe RF LinePNP SiliconMMBR521LT1High-Frequency TransistorMRF5211LT1Designed primarily for use in the highgain, lownoise smallsignalamplifiers for operation up to 3.5 GHz. Also usable in applications requiring fastswitching times. High Current GainBandwidth Product IC = 70 mAfT

Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

History: ZTX327K | SJT5198NPN | BC837-40 | PMST5089 | KTC4347 | UMB6N | BF869EA

 

 
Back to Top

 


 
.