Справочник транзисторов. MRF5211LT1

 

Биполярный транзистор MRF5211LT1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF5211LT1
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.333 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT143
 

 Аналог (замена) для MRF5211LT1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF5211LT1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  motorola
 mmbr521lt1 mrf5211lt1.pdf pdf_icon

MRF5211LT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR521LT1/DThe RF LinePNP SiliconMMBR521LT1High-Frequency TransistorMRF5211LT1Designed primarily for use in the highgain, lownoise smallsignalamplifiers for operation up to 3.5 GHz. Also usable in applications requiring fastswitching times. High Current GainBandwidth Product IC = 70 mAfT

Другие транзисторы... MRF515 , MRF517 , MRF5174 , MRF5175 , MRF5176 , MRF5177 , MRF519 , MRF5211 , 9014 , MRF525 , MRF531 , MRF571 , MRF5711 , MRF5711LT1 , MRF603 , MRF604 , MRF607 .

History: BF248-1

 

 
Back to Top

 


 
.