2N4931S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4931S
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO39-1
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N4931S
2N4931S Datasheet (PDF)
2n4928 2n4929 2n4930 2n4931.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n3743 2n4930 2n4931.pdf
TECHNICAL DATA PNP HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/397 Devices Qualified Level JAN, JANTX 2N3743 2N4930 2N4931 JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Sym 2N3743 2N4930 2N4931 Unit Collector-Emitter Voltage 300 200 250 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 300 200 250 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc VEBO Collector Current 200 mAdc IC Total
2n4939dcsm.pdf
"2N4938DCSM"2N4939DCSMDimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)Applications 2 314Dual Bipolar PNP Devices. A0.236 5rad. (0.009) V = 40V CEO6.22 0.13 A = 1.2
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2N4421
History: 2N4421
Liste
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