2N4931S Todos los transistores

 

2N4931S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N4931S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 250 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO39-1
 

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2N4931S Datasheet (PDF)

 8.1. Size:58K  central
 2n4928 2n4929 2n4930 2n4931.pdf pdf_icon

2N4931S

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 8.2. Size:55K  microsemi
 2n3743 2n4930 2n4931.pdf pdf_icon

2N4931S

TECHNICAL DATA PNP HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/397 Devices Qualified Level JAN, JANTX 2N3743 2N4930 2N4931 JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Sym 2N3743 2N4930 2N4931 Unit Collector-Emitter Voltage 300 200 250 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 300 200 250 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc VEBO Collector Current 200 mAdc IC Total

 9.1. Size:9K  semelab
 2n4939dcsm.pdf pdf_icon

2N4931S

"2N4938DCSM"2N4939DCSMDimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)Applications 2 314Dual Bipolar PNP Devices. A0.236 5rad. (0.009) V = 40V CEO6.22 0.13 A = 1.2

Otros transistores... 2N4927S , 2N4928 , 2N4928S , 2N4929 , 2N4929S , 2N4930 , 2N4930S , 2N4931 , TIP3055 , 2N4932 , 2N4933 , 2N4934 , 2N4935 , 2N4936 , 2N4937 , 2N4937DCSM , 2N4938 .

History: HUN2131 | 3CK5323 | NB113FI | MPSA05G | RT3NEEM | JC501 | BD941F

 

 
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