2N4931S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4931S
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 20 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Empaquetado / Estuche: TO39-1
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N4931S
2N4931S Datasheet (PDF)
4.1. 2n4928 2n4929 2n4930 2n4931.pdf 
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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824
4.2. 2n3743 2n4930 2n4931.pdf Size:55K _microsemi
TECHNICAL DATA PNP HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/397 Devices Qualified Level JAN, JANTX 2N3743 2N4930 2N4931 JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Sym 2N3743 2N4930 2N4931 Unit Collector-Emitter Voltage 300 200 250 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 300 200 250 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc VEBO Collector Current 200 mAdc IC Total
5.1. 2n4939dcsm.pdf Size:9K _semelab
查询"2N4938DCSM"供应商 2N4939DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 ± 0.15 2.29 ± 0.20 1.65 ± 0.13 (0.055 ± 0.006) (0.09 ± 0.008) (0.065 ± 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar PNP Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 40V CEO 6.22 ± 0.13 A = 1.2
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