Справочник транзисторов. 2N4931S

 

Биполярный транзистор 2N4931S - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N4931S

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Корпус транзистора: TO39-1

Аналоги (замена) для 2N4931S

 

 

2N4931S Datasheet (PDF)

4.1. 2n4928 2n4929 2n4930 2n4931.pdf Size:58K _central

2N4931S
2N4931S

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824

4.2. 2n3743 2n4930 2n4931.pdf Size:55K _microsemi

2N4931S
2N4931S

TECHNICAL DATA PNP HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/397 Devices Qualified Level JAN, JANTX 2N3743 2N4930 2N4931 JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Sym 2N3743 2N4930 2N4931 Unit Collector-Emitter Voltage 300 200 250 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 300 200 250 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc VEBO Collector Current 200 mAdc IC Total

 5.1. 2n4939dcsm.pdf Size:9K _semelab

2N4931S

查询"2N4938DCSM"供应商 2N4939DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 ± 0.15 2.29 ± 0.20 1.65 ± 0.13 (0.055 ± 0.006) (0.09 ± 0.008) (0.065 ± 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar PNP Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 40V CEO 6.22 ± 0.13 A = 1.2

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top