NB112E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NB112E 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 55 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 50
Encapsulados: TO92
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de NB112E
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
NB112E datasheet
NO DATA!
Otros transistores... NB111FI, NB111FJ, NB111FY, NB111H, NB111HH, NB111HI, NB111HJ, NB111HY, TIP41, NB112EH, NB112EI, NB112EJ, NB112EY, NB112F, NB112FH, NB112FI, NB112FJ
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: KRA225M | NB211XJ | 2SC1376 | NB112EI | KRC841U | 2SB931 | DTA024EM
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620
