2N4957 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N4957  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1600 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO72

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2N4957 datasheet

 ..1. Size:43K  semicoa
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2N4957

Data Sheet No. 2N4957 Generic Part Number Type 2N4957 2N4957 Geometry 0006 Polarity PNP REF MIL-PRF-19500/426 Qual Level JAN - JANS Features Small signal RF silicon transistor designed for high-gain, low-noise applications. Housed in a TO-72 case. Also available in chip form using the 0006 chip geometry. The Min and Max limits shown are per MIL-PRF-19500/426

 9.1. Size:60K  fairchild semi
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2N4957

2N4953 NPN General Purpose Amplifier This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 500mA. Sourced from Process 10. TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VCBO C

 9.2. Size:1285K  sprague
 2n4265 2n4400 2n4401 2n4402 2n4403 2n4409 2n4410 2n4424 2n4425 2n4951 2n4952 2n4953 2n4954 2n5087 2n5088 2n5089.pdf pdf_icon

2N4957

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