2N4957 Todos los transistores

 

2N4957 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N4957
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1600 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO72
 

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Principales características: 2N4957

 ..1. Size:43K  semicoa
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2N4957

Data Sheet No. 2N4957 Generic Part Number Type 2N4957 2N4957 Geometry 0006 Polarity PNP REF MIL-PRF-19500/426 Qual Level JAN - JANS Features Small signal RF silicon transistor designed for high-gain, low-noise applications. Housed in a TO-72 case. Also available in chip form using the 0006 chip geometry. The Min and Max limits shown are per MIL-PRF-19500/426

 9.1. Size:60K  fairchild semi
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2N4957

2N4953 NPN General Purpose Amplifier This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 500mA. Sourced from Process 10. TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VCBO C

 9.2. Size:1285K  sprague
 2n4265 2n4400 2n4401 2n4402 2n4403 2n4409 2n4410 2n4424 2n4425 2n4951 2n4952 2n4953 2n4954 2n5087 2n5088 2n5089.pdf pdf_icon

2N4957

Otros transistores... 2N495-18 , 2N4952 , 2N4953 , 2N4954 , 2N4955 , 2N4955-78 , 2N4956 , 2N4956-78 , 8050 , 2N4957UB , 2N4958 , 2N4958UB , 2N4959 , 2N4959UB , 2N496 , 2N4960 , 2N4961 .

 

 
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