2N4957 - описание и поиск аналогов

 

2N4957 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2N4957
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1600 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO72

 Аналоги (замена) для 2N4957

 

2N4957 - технические параметры

 ..1. Size:43K  semicoa
 2n4957.pdf pdf_icon

2N4957

Data Sheet No. 2N4957 Generic Part Number Type 2N4957 2N4957 Geometry 0006 Polarity PNP REF MIL-PRF-19500/426 Qual Level JAN - JANS Features Small signal RF silicon transistor designed for high-gain, low-noise applications. Housed in a TO-72 case. Also available in chip form using the 0006 chip geometry. The Min and Max limits shown are per MIL-PRF-19500/426

 9.1. Size:60K  fairchild semi
 2n4953.pdf pdf_icon

2N4957

2N4953 NPN General Purpose Amplifier This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 500mA. Sourced from Process 10. TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VCBO C

 9.2. Size:1285K  sprague
 2n4265 2n4400 2n4401 2n4402 2n4403 2n4409 2n4410 2n4424 2n4425 2n4951 2n4952 2n4953 2n4954 2n5087 2n5088 2n5089.pdf pdf_icon

2N4957

Другие транзисторы... 2N495-18 , 2N4952 , 2N4953 , 2N4954 , 2N4955 , 2N4955-78 , 2N4956 , 2N4956-78 , 8050 , 2N4957UB , 2N4958 , 2N4958UB , 2N4959 , 2N4959UB , 2N496 , 2N4960 , 2N4961 .

 

 
Back to Top

 


 
.