2N4957 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N4957  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N4957

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N4957 даташит

 ..1. Size:43K  semicoa
 2n4957.pdf pdf_icon

2N4957

Data Sheet No. 2N4957 Generic Part Number Type 2N4957 2N4957 Geometry 0006 Polarity PNP REF MIL-PRF-19500/426 Qual Level JAN - JANS Features Small signal RF silicon transistor designed for high-gain, low-noise applications. Housed in a TO-72 case. Also available in chip form using the 0006 chip geometry. The Min and Max limits shown are per MIL-PRF-19500/426

 9.1. Size:60K  fairchild semi
 2n4953.pdf pdf_icon

2N4957

2N4953 NPN General Purpose Amplifier This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 500mA. Sourced from Process 10. TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VCBO C

 9.2. Size:1285K  sprague
 2n4265 2n4400 2n4401 2n4402 2n4403 2n4409 2n4410 2n4424 2n4425 2n4951 2n4952 2n4953 2n4954 2n5087 2n5088 2n5089.pdf pdf_icon

2N4957

Другие транзисторы: 2N495-18, 2N4952, 2N4953, 2N4954, 2N4955, 2N4955-78, 2N4956, 2N4956-78, 2SC2625, 2N4957UB, 2N4958, 2N4958UB, 2N4959, 2N4959UB, 2N496, 2N4960, 2N4961