2N4957UB . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N4957UB
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 1600 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: LCC3

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N4957UB

2N4957UB Datasheet (PDF)

8.1. Size:43K semicoa
2n4957.pdf

Data Sheet No. 2N4957Generic Part Number:Type 2N49572N4957Geometry 0006Polarity PNPREF: MIL-PRF-19500/426Qual Level: JAN - JANSFeatures: Small signal RF silicon transistordesigned for high-gain, low-noiseapplications. Housed in a TO-72 case. Also available in chip form usingthe 0006 chip geometry. The Min and Max limits shown areper MIL-PRF-19500/426

9.1. Size:60K fairchild semi
2n4953.pdf

2N4953NPN General Purpose Amplifier This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 500mA. Sourced from Process 10.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVCBO C

9.2. Size:1285K sprague
2n4265 2n4400 2n4401 2n4402 2n4403 2n4409 2n4410 2n4424 2n4425 2n4951 2n4952 2n4953 2n4954 2n5087 2n5088 2n5089.pdf