2N5014 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5014

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 900 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 20 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 30

Empaquetado / Estuche: TO5

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N5014

2N5014 Datasheet (PDF)

1.1. 2n5014.pdf Size:15K _semelab

2N5014 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR FEATURES General purpose power transistor for switch- ing and linear applications in a hermetic TO–39 package.

1.2. 2n5014s.pdf Size:55K _microsemi

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/727 DEVICES LEVELS 2N5010 2N5013 2N5010S 2N5013S JAN 2N5011 2N5014 2N5011S 2N5014S JANTX 2N5012 2N5015 2N5012S 2N5015S JANTXV ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise note

1.3. 2n5013 2n5014 2n5015.pdf Size:89K _ssdi