Справочник транзисторов. 2N5014

 

Биполярный транзистор 2N5014 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5014

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора: TO5

Аналоги (замена) для 2N5014

 

 

2N5014 Datasheet (PDF)

1.1. 2n5014.pdf Size:15K _semelab

2N5014

2N5014 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR FEATURES General purpose power transistor for switch- ing and linear applications in a hermetic TO–39 package.

1.2. 2n5014s.pdf Size:55K _microsemi

2N5014
2N5014

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/727 DEVICES LEVELS 2N5010 2N5013 2N5010S 2N5013S JAN 2N5011 2N5014 2N5011S 2N5014S JANTX 2N5012 2N5015 2N5012S 2N5015S JANTXV ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise note

 1.3. 2n5013 2n5014 2n5015.pdf Size:89K _ssdi

2N5014
2N5014



Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top