2N5015S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5015S  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 1000 V

Tensión colector-emisor (Vce): 1000 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 120 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO39

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2N5015S datasheet

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2N5015S

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Website http //www.microsemi.com NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/727 DEVICES LEVELS 2N5010 2N5013 2N5010S 2N5013S JAN 2N5011 2N5014 2N5011S 2N5014S JANTX 2N5012 2N5015 2N5012S 2N5015S JANTXV ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25 C unless otherwise note

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2N5015S

2N5015 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 1000V dia. IC = 0.5A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100)

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2N5015S

2N5015X 2N5015SX MECHANICAL DATA HIGH VOLTAGE Dimensions in mm (inches) 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) SILICON EPITAXIAL 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) NPN TRANSISTOR 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 0.89 max. (0.035) 38.00 (1.5) FEATURES min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR dia. HIGH BREAKDOWN VOLTAGE LOW SATURATION VOLTAGE 5.08 (0.20

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2N5015S

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