NS664 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NS664
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar NS664
NS664 Datasheet (PDF)
aons66402.pdf
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AONS66402TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)
aons66406.pdf
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AONS66406TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 30A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)
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