NS664 Todos los transistores

 

NS664 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NS664
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
 

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NS664 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:362K  aosemi
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NS664

AONS66402TTM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 224A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.2. Size:427K  aosemi
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NS664

AONS66407TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 370A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AONS66408TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Very Low RDS(ON) Excellent gate charge x RDS(ON) product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

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NS664

AONS66415TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 150A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: BC860CW | BC52-10PAS | MPS2925

 

 
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