NS664 - описание и поиск аналогов

 

NS664. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NS664

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

 Аналоги (замена) для NS664

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NS664 даташит

 0.1. Size:362K  aosemi
 aons66402t.pdf pdf_icon

NS664

AONS66402T TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 224A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.2. Size:427K  aosemi
 aons66407.pdf pdf_icon

NS664

AONS66407 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 370A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.3. Size:414K  aosemi
 aons66408.pdf pdf_icon

NS664

AONS66408 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Very Low RDS(ON) Excellent gate charge x RDS(ON) product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.4. Size:415K  aosemi
 aons66415.pdf pdf_icon

NS664

AONS66415 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 150A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... NS404A , NS4234 , NS475 , NS479 , NS6063 , NS6065 , NS6207 , NS662 , BD135 , NS666 , NS668 , NS731A , NS733 , NS9731 , NSD102 , NSD103 , NSD104 .

History: NS2100

 

 

 

 

↑ Back to Top
.