Справочник транзисторов. NS664

 

Биполярный транзистор NS664 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NS664
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
 

 Аналог (замена) для NS664

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NS664 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:362K  aosemi
 aons66402t.pdf pdf_icon

NS664

AONS66402TTM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 224A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.2. Size:427K  aosemi
 aons66407.pdf pdf_icon

NS664

AONS66407TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 370A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.3. Size:414K  aosemi
 aons66408.pdf pdf_icon

NS664

AONS66408TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Very Low RDS(ON) Excellent gate charge x RDS(ON) product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.4. Size:415K  aosemi
 aons66415.pdf pdf_icon

NS664

AONS66415TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 150A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... NS404A , NS4234 , NS475 , NS479 , NS6063 , NS6065 , NS6207 , NS662 , BD135 , NS666 , NS668 , NS731A , NS733 , NS9731 , NSD102 , NSD103 , NSD104 .

History: PBSS305NZ

 

 
Back to Top

 


 
.