NS668 Todos los transistores

 

NS668 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NS668

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

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NS668 datasheet

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NS668

AONS66814 TM 80V N-Channel AlphaSGT2 General Description Product Summary VDS 80V AlphaSGT2TM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 310A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

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NS668

AONS66811 TM 80V N-Channel AlphaSGT2 General Description Product Summary VDS 80V Trench Power AlphaSGT2TM technology ID (at VGS=10V) 287A Low RDS(ON) and optimized switching performance RoHS 2.0 and Halogen-Free Compliant RDS(ON) (at VGS=10V)

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NS668

AONS66817 TM 80V N-Channel AlphaSGT2 General Description Product Summary VDS 80V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 120A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... NS475 , NS479 , NS6063 , NS6065 , NS6207 , NS662 , NS664 , NS666 , BC558 , NS731A , NS733 , NS9731 , NSD102 , NSD103 , NSD104 , NSD105 , NSD106 .

History: BRY56A | BU2515AF | BRY56 | NR431HE | NS3906 | 2SD1820

 

 

 

 

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