NS668 Todos los transistores

 

NS668 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NS668
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
 

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NS668 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:429K  aosemi
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NS668

AONS66814TM80V N-Channel AlphaSGT2General Description Product SummaryVDS80V AlphaSGT2TM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 310A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.2. Size:424K  aosemi
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NS668

AONS66811TM80V N-Channel AlphaSGT2General Description Product SummaryVDS80V Trench Power AlphaSGT2TM technology ID (at VGS=10V) 287A Low RDS(ON) and optimized switching performance RoHS 2.0 and Halogen-Free Compliant RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.3. Size:427K  aosemi
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NS668

AONS66817TM80V N-Channel AlphaSGT2General Description Product SummaryVDS80V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 120A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

History: PRF949 | 2SC1944

 

 
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