NS668 - описание и поиск аналогов

 

NS668. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NS668

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

 Аналоги (замена) для NS668

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NS668 даташит

 0.1. Size:429K  aosemi
 aons66814.pdf pdf_icon

NS668

AONS66814 TM 80V N-Channel AlphaSGT2 General Description Product Summary VDS 80V AlphaSGT2TM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 310A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.2. Size:424K  aosemi
 aons66811.pdf pdf_icon

NS668

AONS66811 TM 80V N-Channel AlphaSGT2 General Description Product Summary VDS 80V Trench Power AlphaSGT2TM technology ID (at VGS=10V) 287A Low RDS(ON) and optimized switching performance RoHS 2.0 and Halogen-Free Compliant RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.3. Size:427K  aosemi
 aons66817.pdf pdf_icon

NS668

AONS66817 TM 80V N-Channel AlphaSGT2 General Description Product Summary VDS 80V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 120A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие транзисторы... NS475 , NS479 , NS6063 , NS6065 , NS6207 , NS662 , NS664 , NS666 , BC558 , NS731A , NS733 , NS9731 , NSD102 , NSD103 , NSD104 , NSD105 , NSD106 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.