OD603-50 Todos los transistores

 

OD603-50 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OD603-50
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 30 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 110 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: SPECIAL

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OD603-50 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:392K  aosemi
 aod603a.pdf

OD603-50 OD603-50

AOD603A60V Complementary MOSFETGeneral Description Product Summary N-Channel P-ChannelThe AOD603A uses advanced trench technologyMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gateVDS= 60V -60Vcharge. The complementary MOSFETs may be ID= 13A (VGS=10V) -13A (VGS=-10V)used in H-bridge, Inverters and other applications. RDS(ON) RDS(ON)

 9.2. Size:940K  cn vbsemi
 aod603a.pdf

OD603-50 OD603-50

AOD603Awww.VBsemi.twN- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.030 at VGS = 10 V 35 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 60 6 nC0.033 at VGS = 4.5 V 30 100 % Rg and UIS Tested0.050 at VGS = - 10 V - 19APPLICATIONSP-Channel - 60 8 nC0.060 at VGS = -

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