OD603-50 Todos los transistores

 

OD603-50 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OD603-50

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 30 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 110 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: SPECIAL

 Búsqueda de reemplazo de OD603-50

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

OD603-50 datasheet

 9.1. Size:392K  aosemi
 aod603a.pdf pdf_icon

OD603-50

AOD603A 60V Complementary MOSFET General Description Product Summary N-Channel P-Channel The AOD603A uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate VDS= 60V -60V charge. The complementary MOSFETs may be ID= 13A (VGS=10V) -13A (VGS=-10V) used in H-bridge, Inverters and other applications. RDS(ON) RDS(ON)

 9.2. Size:940K  cn vbsemi
 aod603a.pdf pdf_icon

OD603-50

AOD603A www.VBsemi.tw N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.030 at VGS = 10 V 35 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 60 6 nC 0.033 at VGS = 4.5 V 30 100 % Rg and UIS Tested 0.050 at VGS = - 10 V - 19 APPLICATIONS P-Channel - 60 8 nC 0.060 at VGS = -

Otros transistores... OC870, OC871, OC872, OC880, OC881, OC882, OC883, OD603, BC546, OD604, P201AE, P201E, P202E, P203E, P207, P207A, P208

 

 

 

 

↑ Back to Top
.