Справочник транзисторов. OD603-50

 

Биполярный транзистор OD603-50 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: OD603-50
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 30 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 110 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SPECIAL
 

 Аналог (замена) для OD603-50

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

OD603-50 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:392K  aosemi
 aod603a.pdf pdf_icon

OD603-50

AOD603A60V Complementary MOSFETGeneral Description Product Summary N-Channel P-ChannelThe AOD603A uses advanced trench technologyMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gateVDS= 60V -60Vcharge. The complementary MOSFETs may be ID= 13A (VGS=10V) -13A (VGS=-10V)used in H-bridge, Inverters and other applications. RDS(ON) RDS(ON)

 9.2. Size:940K  cn vbsemi
 aod603a.pdf pdf_icon

OD603-50

AOD603Awww.VBsemi.twN- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.030 at VGS = 10 V 35 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 60 6 nC0.033 at VGS = 4.5 V 30 100 % Rg and UIS Tested0.050 at VGS = - 10 V - 19APPLICATIONSP-Channel - 60 8 nC0.060 at VGS = -

Другие транзисторы... OC870 , OC871 , OC872 , OC880 , OC881 , OC882 , OC883 , OD603 , 8050 , OD604 , P201AE , P201E , P202E , P203E , P207 , P207A , P208 .

History: MJD31T4 | CL055C | BDP955 | KTA1551T | DTC124XUAFRA | CSC1393R | 2SC3330T

 

 
Back to Top

 


 
.