OD603-50 - описание и поиск аналогов

 

OD603-50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: OD603-50

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 110 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SPECIAL

 Аналоги (замена) для OD603-50

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

OD603-50 даташит

 9.1. Size:392K  aosemi
 aod603a.pdf pdf_icon

OD603-50

AOD603A 60V Complementary MOSFET General Description Product Summary N-Channel P-Channel The AOD603A uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate VDS= 60V -60V charge. The complementary MOSFETs may be ID= 13A (VGS=10V) -13A (VGS=-10V) used in H-bridge, Inverters and other applications. RDS(ON) RDS(ON)

 9.2. Size:940K  cn vbsemi
 aod603a.pdf pdf_icon

OD603-50

AOD603A www.VBsemi.tw N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.030 at VGS = 10 V 35 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 60 6 nC 0.033 at VGS = 4.5 V 30 100 % Rg and UIS Tested 0.050 at VGS = - 10 V - 19 APPLICATIONS P-Channel - 60 8 nC 0.060 at VGS = -

Другие транзисторы: OC870, OC871, OC872, OC880, OC881, OC882, OC883, OD603, BC546, OD604, P201AE, P201E, P202E, P203E, P207, P207A, P208

 

 

 

 

↑ Back to Top
.