P308 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P308 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 20 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 30
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P308 datasheet
dp3080.pdf
DP3080 TO-252 Datasheet of DP3080 TO-252 18033419374 QQ 2171689052 Shenzhen Developer Microelectronics Co.,Ltd. 707-710 Address Unit 7-10,7/F.,west block, Skyworth Semiconductor design Building, The 4th on High-tech Zone, Nanshan
dmp3085lsd.pdf
DMP3085LSD P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) MAX Package TA = +25 C Low Input Capacitance 70m @VGS = -10V -3.9A Fast Switching Speed -30V SO-8 95m @VGS = -4.5V -3.3A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qua
dmp3085lss.pdf
DMP3085LSS P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) MAX Package TA = +25 C Low Input Capacitance 70m @VGS = -10V -3.8A Fast Switching Speed -30V SO-8 95m @VGS = -4.5V -3.2A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qua
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