P308 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P308  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

 Аналоги (замена) для P308

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

P308 даташит

 ..1. Size:747K  russia
 p307-v p308 p309.pdf pdf_icon

P308

 0.1. Size:1314K  1
 dp3080.pdf pdf_icon

P308

DP3080 TO-252 Datasheet of DP3080 TO-252 18033419374 QQ 2171689052 Shenzhen Developer Microelectronics Co.,Ltd. 707-710 Address Unit 7-10,7/F.,west block, Skyworth Semiconductor design Building, The 4th on High-tech Zone, Nanshan

 0.2. Size:235K  diodes
 dmp3085lsd.pdf pdf_icon

P308

DMP3085LSD P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) MAX Package TA = +25 C Low Input Capacitance 70m @VGS = -10V -3.9A Fast Switching Speed -30V SO-8 95m @VGS = -4.5V -3.3A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qua

 0.3. Size:162K  diodes
 dmp3085lss.pdf pdf_icon

P308

DMP3085LSS P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) MAX Package TA = +25 C Low Input Capacitance 70m @VGS = -10V -3.8A Fast Switching Speed -30V SO-8 95m @VGS = -4.5V -3.2A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qua

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: P304, P306, P306A, P307, P307A, P307B, P307G, P307V, BDT88, P309, P401, P402, P403, P403A, P416, P416A, P416B