P607 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P607
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 1 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
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P607 Datasheet (PDF)
stp607d.pdf
STP607D P Channel Enhancement Mode MOSFET -10.0A DESCRIPTION STP607D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The STP607D has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050