Биполярный транзистор P607 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: P607
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
P607 Datasheet (PDF)
0.2. Size:2040K stansontech
stp607d.pdf
stp607d.pdf
STP607D P Channel Enhancement Mode MOSFET -10.0A DESCRIPTION STP607D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The STP607D has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050