PBF259RS Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PBF259RS

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 300 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 40M MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO92

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PBF259RS datasheet

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PBF259RS

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by PBF259/D High Voltage Transistors NPN Silicon PBF259 PBF259S COLLECTOR 3 2 BASE 1 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 3 Rating Symbol PBF259,S Unit CASE 29 04, STYLE 1 Collector Emitter Voltage VCEO 300 Vdc TO 92 (TO 226AA) Collector Base Voltage VCBO 300 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Curre

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