PBF259RS - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

PBF259RS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PBF259RS
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40M MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналоги (замена) для PBF259RS

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBF259RS Datasheet (PDF)

 7.1. Size:133K  motorola
 pbf259re.pdf pdf_icon

PBF259RS

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby PBF259/DHigh Voltage TransistorsNPN Silicon PBF259PBF259SCOLLECTOR32BASE1EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating Symbol PBF259,S UnitCASE 2904, STYLE 1CollectorEmitter Voltage VCEO 300 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCBO 300 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Curre

Другие транзисторы... PBC108 , PBC109 , PBC182 , PBC182R , PBC183 , PBC184 , PBF259 , PBF259R , TIP35C , PBF259S , PBF493 , PBF493R , PBF493RS , PBF493S , PE3100 , PE4010 , PE5025 .

History: 2N356A | 2N3571

 

 
Back to Top

 


 
.