PBF259RS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBF259RS

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40M MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для PBF259RS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBF259RS даташит

 7.1. Size:133K  motorola
 pbf259re.pdf pdf_icon

PBF259RS

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by PBF259/D High Voltage Transistors NPN Silicon PBF259 PBF259S COLLECTOR 3 2 BASE 1 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 3 Rating Symbol PBF259,S Unit CASE 29 04, STYLE 1 Collector Emitter Voltage VCEO 300 Vdc TO 92 (TO 226AA) Collector Base Voltage VCBO 300 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Curre

Другие транзисторы: PBC108, PBC109, PBC182, PBC182R, PBC183, PBC184, PBF259, PBF259R, BD335, PBF259S, PBF493, PBF493R, PBF493RS, PBF493S, PE3100, PE4010, PE5025