PBF259S Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PBF259S

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 300 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50M MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO92

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PBF259S datasheet

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PBF259S

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by PBF259/D High Voltage Transistors NPN Silicon PBF259 PBF259S COLLECTOR 3 2 BASE 1 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 3 Rating Symbol PBF259,S Unit CASE 29 04, STYLE 1 Collector Emitter Voltage VCEO 300 Vdc TO 92 (TO 226AA) Collector Base Voltage VCBO 300 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Curre

Otros transistores... PBC109, PBC182, PBC182R, PBC183, PBC184, PBF259, PBF259R, PBF259RS, A940, PBF493, PBF493R, PBF493RS, PBF493S, PE3100, PE4010, PE5025, PE5029