PBF259S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PBF259S
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 300 V
Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 50M MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de PBF259S
PBF259S Datasheet (PDF)
pbf259re.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby PBF259/DHigh Voltage TransistorsNPN Silicon PBF259PBF259SCOLLECTOR32BASE1EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating Symbol PBF259,S UnitCASE 2904, STYLE 1CollectorEmitter Voltage VCEO 300 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCBO 300 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Curre
Otros transistores... PBC109 , PBC182 , PBC182R , PBC183 , PBC184 , PBF259 , PBF259R , PBF259RS , B772 , PBF493 , PBF493R , PBF493RS , PBF493S , PE3100 , PE4010 , PE5025 , PE5029 .
History: MPS2484R | 2SA476 | PN3904R | 2SD1076 | MRF914 | TFNA14
History: MPS2484R | 2SA476 | PN3904R | 2SD1076 | MRF914 | TFNA14



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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