Биполярный транзистор PBF259S - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PBF259S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50M MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO92
PBF259S Datasheet (PDF)
8.1. Size:133K motorola
pbf259re.pdf
pbf259re.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby PBF259/DHigh Voltage TransistorsNPN Silicon PBF259PBF259SCOLLECTOR32BASE1EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating Symbol PBF259,S UnitCASE 2904, STYLE 1CollectorEmitter Voltage VCEO 300 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCBO 300 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Curre
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
