PMD13K100 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMD13K100
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 800
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar PMD13K100
PMD13K100 Datasheet (PDF)
pmd13k100.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD13K100 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -100V(Min) Complement to type PMD12K100 APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and DC motor control applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER VALU
pmd13k80.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD13K80 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -80V(Min) Complement to type PMD12K80 APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and DC motor control applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER VALUE U
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