PMD13K100 Todos los transistores

 

PMD13K100 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMD13K100
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 800
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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PMD13K100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  inchange semiconductor
 pmd13k100.pdf pdf_icon

PMD13K100

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD13K100 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -100V(Min) Complement to type PMD12K100 APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and DC motor control applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER VALU

 8.1. Size:199K  inchange semiconductor
 pmd13k80.pdf pdf_icon

PMD13K100

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD13K80 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -80V(Min) Complement to type PMD12K80 APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and DC motor control applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER VALUE U

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: KT218D9

 

 
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