Справочник транзисторов. PMD13K100

 

Биполярный транзистор PMD13K100 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PMD13K100
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 800
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для PMD13K100

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PMD13K100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  inchange semiconductor
 pmd13k100.pdf pdf_icon

PMD13K100

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD13K100 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -100V(Min) Complement to type PMD12K100 APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and DC motor control applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER VALU

 8.1. Size:199K  inchange semiconductor
 pmd13k80.pdf pdf_icon

PMD13K100

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD13K80 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -80V(Min) Complement to type PMD12K80 APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and DC motor control applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER VALUE U

Другие транзисторы... PMD11K100 , PMD11K40 , PMD11K60 , PMD11K80 , PMD12K100 , PMD12K40 , PMD12K60 , PMD12K80 , 2SD882 , PMD13K40 , PMD13K60 , PMD13K80 , PMD15K200 , PMD1600K , PMD1601K , PMD1602K , PMD1603K .

History: D64EV7 | D44VH6

 

 
Back to Top

 


 
.