PMD13K60 Todos los transistores

 

PMD13K60 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMD13K60
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 800
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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PMD13K60 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:199K  inchange semiconductor
 pmd13k80.pdf pdf_icon

PMD13K60

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD13K80 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -80V(Min) Complement to type PMD12K80 APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and DC motor control applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER VALUE U

 8.2. Size:198K  inchange semiconductor
 pmd13k100.pdf pdf_icon

PMD13K60

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD13K100 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -100V(Min) Complement to type PMD12K100 APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and DC motor control applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER VALU

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