PMD13K60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMD13K60  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 800

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для PMD13K60

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PMD13K60 даташит

 8.1. Size:199K  inchange semiconductor
 pmd13k80.pdf pdf_icon

PMD13K60

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD13K80 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -80V(Min) Complement to type PMD12K80 APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and DC motor control applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE U

 8.2. Size:198K  inchange semiconductor
 pmd13k100.pdf pdf_icon

PMD13K60

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD13K100 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -100V(Min) Complement to type PMD12K100 APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and DC motor control applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25 ) SYMBOL PARAMETER VALU

Другие транзисторы: PMD11K60, PMD11K80, PMD12K100, PMD12K40, PMD12K60, PMD12K80, PMD13K100, PMD13K40, D667, PMD13K80, PMD15K200, PMD1600K, PMD1601K, PMD1602K, PMD1603K, PMD16K100, PMD16K40