PMD15K200 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMD15K200  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 14 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: TO3

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PMD15K200 datasheet

 9.1. Size:1231K  magnachip
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PMD15K200

MPMD150B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChip s IGBT Module 7DM-3 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss V = 2.8V (typ.) CE(sat) devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated Min. 10us at TC=100 Isolation Typ

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