PMD15K200 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMD15K200
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 14 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar PMD15K200
PMD15K200 Datasheet (PDF)
mpmd150b120rh.pdf
MPMD150B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChips IGBT Module 7DM-3 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss : V = 2.8V (typ.) CE(sat)devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated : Min. 10us at TC=100 Isolation Typ
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Liste
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BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050